中科院研究團隊：DLP技術打印AlN陶瓷
行業資訊
1585天前
氮化鋁（AlN）具有很高的理論熱導率（319 W /（m·K））,具有良好的電絕緣性，低的熱膨脹系數和較高的機械強度，是一種在散熱器和微電子應用的有廣泛前途的陶瓷材料。DLP技術可以制造具有微小結構的小型組件，中科院研究團隊基于此種技術打印AlN陶瓷并對其導熱性和力學性能進行了探究。
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